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第584章 丧心病狂的远芯 (1 / 3)

就在张汝金开始介绍起国内光刻机现状时,苏远山笑着打断了他的话。

“张叔,好歹给咱们留点念想……”

张汝金一怔,当见到苏远山嘴角挂起的苦笑时,他也满嘴苦涩,继而笑着摇了摇头。

是的,这玩意,真不能深究。一旦深究下去,就必定落到国内的整体工业状况上去,而这个问题……太具体,也太沉重了,远不是远芯能够承担和讨论得起的。

现在远芯看似站在了和国外同行的同一个高度,甚至某些领域还有些许的领先。但国外的科技企业之下,是整整一座从基础到中端再到高端的金字塔。而远芯,则只是一栋在低矮平房中拔地而起的大厦――更要命的是,承载这座大厦的,还有许多是来自国外的技术和设备。

一座摩天大厦,就算修建得再高,再富丽堂皇。就稳固性而言,永远也不可能和金字塔相提并论。

这便是,为什么剥离代工厂会对远芯造成那么大的影响,苏远山也要坚持优先代工厂的发展的原因。

“光刻机那边,郑工简单地给我通了个气,表示目前暂时还没有受到影响。但他也未雨绸缪,加大了采购力度。”苏远山摇了摇头,眉头轻轻地皱起。

国内光刻机的发展已经偏离了原本的轨迹,从原本的杳无声息到如今能够提供满足国内0.8微米需求的436nm- g-line机型,其实这算一个好消息。

但这也意味着,它将极有可能提前遭到技术封锁。

需要说明一点的是,按照波长和线宽,理论上,g线光源也是可以达到0.25um节点的极限,但由于波长缘故,越是要达到极限,工艺也就越是复杂――如今宏芯的光刻机已经进厂半年多,华晶那边依旧在磨合着依旧很成熟的0.8微米工艺。再加上g线光刻胶目前最高也仅支持到0.5微米,是以……它未来不可期。

并且就连远芯,制程推进也是在尼康i线365nm光刻机的基础上进行,虽然理论最小工艺节点依旧是0.25微米。但波长和线宽的优势,使得其更容易达到节点。

此外,早在去年,intel就推出了基于0.35微米制程工艺的PentiumMMX,轻而易举地就回到了性能王座的同时,也彰显了其晶圆厂强大的制程工艺实力。

根据小道消息,intel的0.25微米工艺也在突破当中。

相比之下,德远这边,还在为0.35微米工艺打着攻坚战。

与此同时,尼康那边已经采用248nm的KrF准分子激光作为下一代光刻机的光源,紧接着便是193nm的ArF――也就是大名鼎鼎的DUV。届时,凭借多重曝光技术,DUV将会把制程节点提高到65纳米的干式光刻极限。

再往后……便是浸没式技术的天下了。

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